從外觀區(qū)別DDR和DDR2，DDR3
防呆缺口 DDR內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個(gè)（雙面184個(gè)），缺口左邊為52個(gè)針腳，制品右邊為40個(gè)針腳；
DDR2內(nèi)存單面金手指120個(gè)（雙面240個(gè)），缺口左邊為64個(gè)針腳，缺口右邊為56個(gè)針腳；
DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)（雙面240個(gè)），缺口左邊為72個(gè)針腳，缺口右邊為48個(gè)針腳.
2、DDR內(nèi)存的顆粒為長(zhǎng)方形
DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒為正方形,而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一
3、使用電壓不同
DDR2的電壓1.8V
DDR3的電壓1.5V
參數(shù)不同之處
|
電壓 VDD/VDDQ |
2.5V/2.5V |
1.8V/1.8V(±0.1) |
1.5V/1.5V(±0.075) |
|
I/O接口 |
SSTL_25 |
SSTL_18 |
SSTL_15 |
|
數(shù)據(jù)傳輸率(Mbps) |
200～400 |
400～800 |
800～2000 |
|
容量標(biāo)準(zhǔn) |
64M～1G |
256M～4G |
512M～8G |
|
Memory Latency(ns) |
15～20 |
10～20 |
10～15 |
|
CL值 |
1.5/2/2.5/3 |
3/4/5/6 |
5/6/7/8 |
|
預(yù)取設(shè)計(jì)(Bit) |
2 |
4 |
8 |
|
邏輯Bank數(shù)量 |
2/4 |
4/8 |
8/16 |
|
突發(fā)長(zhǎng)度 |
2/4/8 |
4/8 |
8 |
|
封裝 |
TSOP |
FBGA |
FBGA |
|
引腳標(biāo)準(zhǔn) |
184Pin |
240Pin |
240Pin |
關(guān)鍵詞：DDR,DDR2,DDR3
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